LiAlO2 سبسټریټ

LiAlO2 سبسټریټ د لیتیم المونیم آکسایډ (LiAlO2) څخه جوړ شوي سبسټریټ ته اشاره کوي.LiAlO2 یو کرسټال مرکب دی چې د خلا ګروپ R3m پورې اړه لري او یو مثلث کرسټال جوړښت لري.

د LiAlO2 سبسټریټونه په مختلف غوښتنلیکونو کې کارول شوي ، پشمول د پتلي فلم وده ، اپیټیکسیل پرتونه ، او د بریښنایی ، آپټو الیکترونیک ، او فوټونک وسیلو لپاره هیټروسټریکچرونه.د دې عالي فزیکي او کیمیاوي ملکیتونو له امله ، دا په ځانګړي توګه د پراخه بینډګاپ سیمیکمډکټر وسیلو پراختیا لپاره مناسب دی.

د LiAlO2 سبسټریټ یو له اصلي غوښتنلیکونو څخه د ګیلیم نایټریډ (GaN) پراساس د وسیلو په ډګر کې دی لکه د لوړ الیکټرون موبیلټي ټرانزیسټرونو (HEMTs) او د سپکو ایمیټینګ ډایډز (LEDs).د LiAlO2 او GaN تر منځ د جالوالی توپیر نسبتا کوچنی دی، دا د GaN پتلو فلمونو د اپیټاکسیل ودې لپاره مناسب سبسټریټ جوړوي.د LiAlO2 سبسټریټ د GaN زیرمه کولو لپاره د لوړ کیفیت ټیمپلیټ چمتو کوي ، په پایله کې د وسیلې فعالیت او اعتبار ښه شوی.

د LiAlO2 سبسټریټونه په نورو برخو کې هم کارول کیږي لکه د حافظې وسیلو لپاره د فیرو الیکٹرک موادو وده ، د پیزو الیکټریک وسیلو پراختیا ، او د جامد حالت بیټرۍ جوړول.د دوی ځانګړي ملکیتونه، لکه لوړ حرارتي چالکتیا، ښه میخانیکي ثبات، او ټیټ ډایالټریک ثابت، دوی ته په دې غوښتنلیکونو کې ګټې ورکوي.

په لنډیز کې، LiAlO2 سبسټریټ د لیتیم المونیم آکسایډ څخه جوړ شوي سبسټریټ ته اشاره کوي.د LiAlO2 سبسټریټونه په مختلف غوښتنلیکونو کې کارول کیږي ، په ځانګړي توګه د GaN پراساس وسیلو وده ، او د نورو بریښنایی ، آپټو الیکترونیک او فوتونیک وسیلو پراختیا لپاره.دوی د پام وړ فزیکي او کیمیاوي ملکیتونه لري چې دوی د پتلو فلمونو او هیټرو جوړښتونو د راټولولو لپاره مناسب کوي او د وسیلې فعالیت ته وده ورکوي.